YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: YZ48G16V-F9HPI-M 제조: Loongtion 및 K4A8G165WC-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Loongtion | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.60 | $38.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| 패키지 | FBGA96 | 96-FBGA |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | DDR4 | Differential (CK, /CK) |
| 핀 수 | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |