YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von YZ48G16V-F9HPI-M von Loongtion und K4A8G165WC-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,60 | $38,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Gehäuse | FBGA96 | 96-FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 | Differential (CK, /CK) |
| Pin-Anzahl | 96 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |