YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion e K4A8G165WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,60 | $38,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulamento | FBGA96 | 96-FBGA |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 | Differential (CK, /CK) |
| Contagem de pinos | 96 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |