1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon و 1ED3127MU12FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1ED3127MU12FXUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| تعداد خروجی‌ها | 1 | 1 |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| زمان صعود | 15 ns | — |
| زمان افت | 30 ns | — |
| دمای کاری | -40 C to +125 C | — |
| بسته‌بندی | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| عملکرد | — | Single-channel isolated gate driver |
| پیکربندی خروجی | — | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting |
| Peak Output Current | — | 10 A (source/sink) |
| Continuous Output Current | — | 9 A |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | — | 12 V to 35 V |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | — | 3 V to 5.5 V |
| Propagation Delay (typ.) | — | 15 ns |
| Delay Matching (typ.) | — | 30 ns |
| Galvanic Isolation | — | 3000 Vrms (coreless transformer) |
| محدوده دمای کاری | — | -40C to +125C |
| Protection Features | — | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection |
| Drives | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |