1ED3890MC12MXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3890MC12MXUMA1 توسط Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1ED3890MC12MXUMA1 1ED3890MC12MXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver, ±9A | Infineon

1ED3890MC12MXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver, ±9A | Infineon

1ED3890MC12MXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED3890MC12MXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Peak Output Current (Source/Sink) ±9 A —
Number of Channels 1 —
پیکربندی خروجی High-Side Non-Inverting —
بسته‌بندی PG-DSO-16-28 (16-pin wide-body DSO) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع نصب Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Configurable Interface I2C (DESAT, UVLO, drive voltage) —
Protection Features DESAT short-circuit, Active Miller clamp, Soft Turn-Off (STO), UVLO —
Target Power Devices IGBT, SiC MOSFET, MOSFET —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) [DATA_NEEDED: CMTI rating] —
Supply Voltage (VCC side) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Output Drive Voltage (VOUT) [DATA_NEEDED: VOUT range] —
وضعیت RoHS Compliant ROHS3 Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes —
عملکرد — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
توپولوژی — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
دمای کاری — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت