1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7550BXTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7126GXTMA1 1EDN7550BXTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Non-inverting, truly differential
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Single-channel, high-side / low-side
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
دمای اتصال کاری — -40 °C to +150 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت