BSC011N03LSIATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC011N03LSIATMA1 توسط Infineon و BSC032N04LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC011N03LSIATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 30 V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.1 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 96 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +150 °C | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench |
| Lead-Free | — | Yes |