BSC014N04LSIATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014N04LSIATMA1 توسط Infineon و BSC022N04LS6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014N04LSIATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| تعداد پایه | — | 8 |
| دمای کاری | — | -55 C to +175 C (junction) |