BSC014N06NSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC011N03LSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014N06NSATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 30 V |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +150 °C |