BSC014NE2LSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014NE2LSIATMA1 توسط Infineon و BSZ0901NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC014NE2LSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
تعداد پایه — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
محدوده دمای کاری — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت