BSC016N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC016N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC016N06NSATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2.0 V to 3.5 V |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | N-Channel Trench MOSFET |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes (per Infineon product page) |