BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC015NE2LS5IATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC052N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC015NE2LS5IATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC015NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 trench |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55C to +150C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 50 W |
| تعداد پایه | — | 8 |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |