BSC066N06NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC066N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC016N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC066N06NSATMA1 | BSC016N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | 71 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| دمای اتصال کاری | -55°C to +150°C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS™ 5 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | — | 30 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.6 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 139 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +150 °C |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V |