BSC0911NDATMA1 vs BSC0993NDATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0911NDATMA1 توسط Infineon و BSC0993NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0911NDATMA1 BSC0993NDATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A —
Power Dissipation (PD) 1 W —
بسته‌بندی PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TISON-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg value]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — OptiMOS 5 30V
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت