BSC118N10NSGATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC118N10NSGATMA1 توسط Infineon و BSC146N10LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC118N10NSGATMA1 | BSC146N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 2 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement (Normal Level) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 114 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +150 C | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 5 (logic-level) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per target application | — |
| Target Application | High-frequency SMPS, synchronous rectification | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 14.6 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (typ. ~1.7 V) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +150 C (TJ max) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |