BSS138NH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS138NH6327XTSA2 توسط Infineon و BSS83PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS138NH6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 60 V | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.5 ohm | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 230 mA | — |
| Power Dissipation (Ta) | 360 mW | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT-23 (3-pin) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | — |
| Gate-Source Voltage V_GS max | ±20 V | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| Marking Code | [DATA_NEEDED: top-side marking code] | — |
| Packaging | Tape and Reel | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| دمای اتصال کاری | — | -55 C to +150 C |
| Qualification | — | Automotive grade per Infineon |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |