BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ031NE2LS5ATMA1 توسط Infineon و BSC0921NDIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC0921NDIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 31 A (per channel, package-limited)
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL] 1 (per Infineon OptiMOS family)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Technology — OptiMOS 25V (N-channel)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت