BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ031NE2LS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC0921NDIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC0921NDIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 31 A (per channel, package-limited)
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C —
מארז PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL] 1 (per Infineon OptiMOS family)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Technology — OptiMOS 25V (N-channel)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר