H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHI توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| نرخ داده | 2400 MT/s | 2400 Mbps (PC2400) |
| رابط | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (JEDEC) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |