H5AN8G4NCJR-XXC vs H5AN8G6NCJR-XXC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G4NCJR-xxC توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-xxC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G4NCJR-xxC | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| سازمان | x4 (H5AN8G4NCJR) | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2V | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| بسته‌بندی | FBGA | 96-ball FBGA |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |