H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-PBC توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| نوع رابط | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| بستهبندی | TFBGA-96 (rectangular) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Composition | CMOS | — |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit |
| نرخ داده | — | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| رابط | — | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |