H5TC4G63AFR-PBJ vs H5TC4G63AFR-G7A مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63AFR-PBJ توسط SK hynix و H5TC4G63AFR-G7A توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63AFR-PBJ | H5TC4G63AFR-G7A |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb (256M x 16) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35V |
| بسته‌بندی | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 11) |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| دمای کاری | — | 0°C to 95°C (case) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Refresh Period | — | 7.8us at 85°C |
| On-Die Termination | — | Supported |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Process Technology | — | CMOS |