H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63AFR-PBA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63MFR-PBA توسط SK hynix و H5TC4G63AFR-PBA توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $3.98 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | 1.35V |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | 11, 12, 13 |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| محدوده دمای کاری | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| رابط | — | 16-bit I/O |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |