IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC60N04S6L030HATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6N031HATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q101
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C (Tj)
تعداد پایه — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت