IAUC90N10S5N062ATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC90N10S5N062ATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6N044ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C -55°C to +175°C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
سطح MSL — 1 (unlimited)
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت