IAUCN08S7N036TATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN08S7N036TATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N037GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 129 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.60 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 118 W (T_C = 25 °C) —
Input Capacitance (C_iss) 3120 pF (typ) —
Output Capacitance (C_oss) 1280 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 23 pF (max) —
Turn-on Delay Time (t_d(on)) 14 ns (typ) —
Rise Time (t_r) 8 ns (typ) —
Turn-off Delay Time (t_d(off)) 17 ns (typ) —
Fall Time (t_f) 8 ns (typ) —
بسته‌بندی PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Cooling Top-side cooled —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 7
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت