IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S5L280DATMA1 توسط Infineon و IAUC120N06S5L015ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) -55C to +175C (Tj)
تعداد پایه 8 —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت