IHW40N120R5XKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IHW40N120R5XKSA1 توسط Infineon و IPP100N12S305AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 - 1200V 40A RC-H5 IGBT | Infineon

IHW40N120R5XKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IHW40N120R5XKSA1 IPP100N12S305AKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی IGBTs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Collector-Emitter Voltage (VCE) 1200 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25C) 80 A —
Pulsed Collector Current (ICM) 160 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 394 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/-20 V —
VCE(sat) at IC=40A, VGE=15V, Tj=25C [DATA_NEEDED: typical VCE(sat) value] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (monolithic reverse-conducting) —
Technology Trench Field Stop, Reverse-Conducting RC-H5 OptiMOS trench
بسته‌بندی TO-247-3 (PG-TO247-3) through-hole TO-220 (PG-TO220-3-1)
نوع نصب Through Hole Through Hole
دمای اتصال کاری -40C to +175C -55 °C to +175 °C
Storage Temperature -55C to +150C —
Soldering Temperature (max 10s) 260 C —
Switching Application Resonant / soft switching (induction cooking optimized) —
RoHS Compliance Compliant Compliant (Green product)
بدون هالوژن Yes —
سطح MSL N/A (through-hole) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
تعداد پایه — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت