IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPB014N06NATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB60R040CFD7ATMA1 IPB014N06NATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
اتلاف توان (TC=25°C) 227 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت