IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPC100N04S5L1R1ATMA1 توسط Infineon و IPC100N04S5L1R5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V OptiMOS-5 40 V
نوع ترانزیستور N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55C to +175C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (260C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100%
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
AEC-Q101 Qualified — Yes
وضعیت RoHS — Compliant (Green Product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت