IPD135N03LGATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD135N03LGATMA1 توسط Infineon و BSC019N04NSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD135N03LGATMA1 | BSC019N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 31 W (Tc) | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) | -55C to +150C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes | — |
| Qualification | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) | — |
| Technology | — | OptiMOS (trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mΩ |
| RDS(on) typ at VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 125 W |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) |