IPD35N10S3L26ATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD35N10S3L26ATMA1 توسط Infineon و BSC050N03LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD35N10S3L26ATMA1 | BSC050N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD35N10S3L26ATMA1 | BSC050N03LSGATMA1 |
| Technology | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 71 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55°C to +175°C | — |
| بسته‌بندی | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Green product (halogen-free) | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 80 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +150 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |