IPD90N06S407ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD90N06S407ATMA2 توسط Infineon و IPD70N10S312ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD90N06S407ATMA2 IPD70N10S312ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D at T_C) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A 6.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 4 V at 40 uA —
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V 56 nC —
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) 79 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
بسته‌بندی PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Green Product) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Technology — OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1 (unlimited floor life)
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت