IPP069N20NM6AKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP069N20NM6AKSA1 توسط Infineon و IPP075N15N3GXKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP069N20NM6AKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
بسته‌بندی PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
سطح MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت