IPTC054N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPTC054N15NM5ATMA1 توسط Infineon و IQE220N15NM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPTC054N15NM5ATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 (IPT family) | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 17.5 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 143 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 250 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 5.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | 4.6 V |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 58 nC | — |
| Forward Body Diode Voltage (VSD) | 0.83 V | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| نوع نصب | Surface Mount (top-side cooled) | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Technology | — | OptiMOS 5, Source-Down |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C (junction) |