IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQDH35N03LM5SCATMA1 توسط Infineon و IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| بسته‌بندی | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| تعداد پایه | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |