IRF3205STRLPBF vs IRFB3207ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF3205STRLPBF توسط Infineon و IRFB3207ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF - 55V 110A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3205STRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF3205STRLPBF IRFB3207ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A —
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (Tj) —
بسته‌بندی TO-263-3 (D2PAK) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
سطح MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت