IRF520NPBF vs IRF530NSTRLPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF520NPBF توسط Infineon و IRF530NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF520NPBF | IRF530NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55C to +175C |
| بسته‌بندی | TO-220AB (through-hole) | — |
| نوع نصب | Through Hole | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Pb-free) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | HEXFET (Planar Stripe Cell) |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 17 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 90 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 24.7 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 70 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Package Type | — | D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| Qualification Market | — | Industrial |