IRFP2907PBF vs IRFZ34NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFP2907PBF توسط Infineon و IRFZ34NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFP2907PBF IRFZ34NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature — 175 C
بسته‌بندی — TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
نوع نصب — Through Hole
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
وضعیت RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت