IRFR1205TRPBF vs IRLR2705TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR1205TRPBF توسط Infineon و IRLR2705TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR1205TRPBF IRLR2705TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max Logic-Level (compatible with 4V drive)
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 16.7 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت