IRFR220NTRLPBF vs IRFR3806TRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR220NTRLPBF توسط Infineon و IRFR3806TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFR220NTRLPBF | IRFR3806TRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.800 ohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | 22 nC |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | Low (per datasheet - HEXFET design) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 43 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| بسته‌بندی | TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Packaging | Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | Yes (HEXFET family) |
| Technology Family | HEXFET, Planar, Generation 3 | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 43 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 15.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | — | 71 W |
| بسته‌بندی / کیس | — | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | — | HEXFET (IR MOSFET) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Number of Units in IC | — | 1 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |