IRFR3411TRPBF vs IRFR4105TRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3411TRPBF توسط Infineon و IRFR4105TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFR3411TRPBF | IRFR4105TRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 100 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 44 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Charge (Qg) | 48 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| بسته‌بندی | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 3 | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-free, PBF suffix) | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | — | 27 A |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | — | 45 milliohm |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | — | 68 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (lead-free, PBF suffix) |
| Packaging Type | — | Tape and Reel (TRPBF) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy (E_AS) | — | [DATA_NEEDED: E_AS rating] |