IRFR5305TRPBF vs IRF4905STRRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5305TRPBF توسط Infineon و IRF4905STRRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5305TRPBF IRF4905STRRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W 170 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process)
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت