IRFR9120NTRPBF vs IRFR2405TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR9120NTRPBF توسط Infineon و IRFR2405TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR9120NTRPBF IRFR2405TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) 70 nC
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited floor life) 1
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
بدون هالوژن — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت