IRFR9120NTRPBF vs IRFR2405TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR9120NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR2405TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR9120NTRPBF IRFR2405TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) 70 nC
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited floor life) 1
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
ہیلوجن فری — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں