IRLR2705TRLPBF vs IRLR2705TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR2705TRLPBF توسط Infineon و IRLR2705TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 28 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 40 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 68 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Configuration Single N-Channel —
سطح MSL 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت