IRLR2705TRLPBF vs IRLR2705TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR2705TRLPBF מאת Infineon ו IRLR2705TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 28 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 40 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 68 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Configuration Single N-Channel —
רמת MSL 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר