ISC011N03L5SATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC011N03L5SATMA1 توسط Infineon و IQDH35N03LM5CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC011N03L5SATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |