K3LK4K40CM-BGCP vs K3LKCKC0BM-MGCP مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K3LK4K40CM-BGCP توسط Samsung Electronics و K3LKCKC0BM-MGCP توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K3LK4K40CM-BGCP | K3LKCKC0BM-MGCP |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 96 Gb (12 GB) | — |
| سازمان | 1536M x 64 | — |
| نرخ داده | 6400 Mbps per pin | 6400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| بسته‌بندی | 496-ball FBGA | FBGA-315 (PBGA315) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | LPDDR5 (JEDEC) | Parallel |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -25 C to +85 C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Scheme | Per-bank / all-bank refresh | — |
| Power-Down Modes | Deep sleep / power-down supported | — |
| Application Segment | Mobile, embedded, computing modules | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| اندازه حافظه | — | 64 Gbit |
| Memory Organization | — | 2G x32 |
| Technology | — | CMOS |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: access time] |
| Power Consumption - Active | — | [DATA_NEEDED: active power] |
| Power Consumption - Standby | — | [DATA_NEEDED: standby power] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |