K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WF-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G165WE-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A4G165WF-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $8.20 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| رابط | Parallel, x16 | SSTL-12 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Terminal Count | 96 | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0C to +95C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |